具体而言★，MIT团队通过精确控制各层半导体材料的生长，克服了传统芯片制造中面临的物理极限问题★★。这种新方法不仅突破了传统芯片在二维平面上扩展晶体管数量的瓶颈，还显著提高了不同功能层之间的通信效率。由于层间直接接触的增加，电子信号在传递过程中的延迟被有效降低★★，从而提升了芯片的整体性能。

　　研究团队指出，这一电子堆叠技术的创新之处在于，它摒弃了对硅基板的依赖，允许晶体管、内存及逻辑元件在任何随机晶体表面上构建。这一转变不仅提高了设计的灵活性★，还使得高性能的半导体材料能够更好地协同工作，进一步提升了计算性能。

　　该电子堆叠技术的核心在于通过高质量的半导体材料层的交替生长，实现了多层芯片的设计★★。传统上，芯片上的电路主要在二维平面上进行延展★★★，而MIT的研究团队则采用了垂直堆叠的方式★，将多个功能性层直接堆叠在一起，从而创建了多层芯片。这种设计使得晶体管不仅在数量上有所增加，同时在布局上更加紧凑，从而提高了工作效率★★。

　　美国麻省理工学院（MIT）的一支研究团队在最新一期《自然》杂志上发表了一项创新性的电子堆叠技术研究成果。这项新技术能够显著增加芯片上的晶体管数量★，为人工智能（AI）硬件的发展提供了更为高效的解决方案。